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一种光探测装置，包括：半导体衬底（１０１），其由作为基底材料的硅构成并包含预定浓度的碳；和外延层（１０２），其形成在半导体衬底（１０１）上并由作为基底材料的硅构成，该外延层（１０２）包括远离半导体衬底（１０１）预定距离的光探测单元（主要是１...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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