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本发明属于半导体材料技术领域，尤其涉及碳化硅衬底薄膜的制备方法，通过对目标基底层以及载体层进行打磨，而后对目标基底层进行离子注入，使目标基底层出现断裂层，然后将载体层同目标基底层高温键合，再进行退火，令目标基底层在断裂层处分离，以达到获取目...
该专利属于贝尔特物联技术无锡有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贝尔特物联技术无锡有限公司授权不得商用。

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