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本发明提供了一种具有改进的结构的ＧａＮ基半导体发光器件，其中改善了光输出和发光效率。ＧａＮ基半导体发光器件包括：ｎ电极；ｐ电极；以及设置在ｎ电极和ｐ电极之间的ｎ型半导体层、有源层和ｐ型半导体层，其中ｐ电极包括：在ｐ型半导体层上由Ｚｎ或Ｚｎ基...
该专利属于三星电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电机株式会社授权不得商用。

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