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官能化杂并苯和由其产生的电子器件制造技术
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文档序号:3182503
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本发明公开了一种电子器件,如包含例如通式(Ⅰ)的半导体的薄膜晶体管,其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或合适的烃;每个R↓[1]和R↓[2]独立地是氢(H)、合适的烃、含杂原子的基团或卤素;R↓[3]和R↓[4]独立地是合适的烃、含杂原子...
该专利属于施乐公司所有,仅供学习研究参考,未经过施乐公司授权不得商用。
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