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本发明公开了一种ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用ＧａＡｓ基材料，交替生长ＡｌＧａＡｓ势垒／ＧａＡｓ量子阱／ＡｌＧａＡｓ势垒／ＩｎＧａＡｓ量子阱／ＡｌＧａＡｓ势垒，利用ＧａＡｓ量子阱中的子带间跃迁形成...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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