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一种全局互连铜镂空结构的制造方法，属于集成电路金属互连多层结构的制造方法。包括如下步骤：（１）形成图形化的阻挡层，溅射种子层，光刻，掩膜电镀，形成图形化的铜柱子；（２）刻蚀底膜，填充牺牲层，研磨抛光，溅射种子层，光刻电镀，去胶，刻蚀底膜，形...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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