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一种提高光刻技术分辨率的方法，利用光学原理和光敏材料的光化学反应理论，根据对特殊设计的掩模版测试图形实际曝光结果的测量和模拟计算得到光刻胶的阈值能量以及光酸生成剂的扩散长度，随后依据此数据进行１～３次曝光、１～２次显影。本发明提高了对光酸扩...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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