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本发明提出了制造传感器（１００）的方法。该方法包括：在晶片上沉积第一预定厚度的牺牲材料（３３０），该晶片具有安装于其上的至少一个感测元件，所述牺牲材料至少部分地沉积在所述至少一个感测元件上；在晶片上并且围绕着所沉积的牺牲材料形成第二预定厚度...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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