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一种用于在反应器中加工件上的电介质膜中蚀刻高孔径比开口的等离子体蚀刻工艺，所述反应器具有覆在所述加工件上的顶电极和支撑所述加工件的静电卡盘，该方法包括：　　　　通过在所述顶电极中气体注入孔的多个同心区域中的至少第一所选区域，注入第一聚合蚀刻...
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