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本发明涉及一种制备半导体晶片的方法，将所述半导体晶片从晶体切割，并对其实施从所述半导体晶片的正面和背面去除材料的一系列加工步骤，其包括以下加工步骤：机械加工步骤，蚀刻步骤，其中将所述半导体晶片氧化，并且借助于含有氢氟酸的气体蚀刻剂，在２０～...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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