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本发明提供一种具有双重氮化物衬垫的半导体器件和用于制造这种器件的方法，所述衬垫为至少一个ＦＥＴ（３００）提供增加的横向应力状态。本发明的第一方面提供一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：向该器件施加第一氮化硅衬垫（３６０）和施加与第一...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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