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具有槽电荷补偿区的半导体器件和方法。在一个实施例中，半导体器件成形为具有电荷补偿槽，该电荷补偿槽邻近该器件的沟道区。电荷补偿槽包括至少两个相反导电类型的半导体层。沟道连接区将沟道区电连接到至少两个相反导电类型的半导体层中的一个。...
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