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用来在蚀刻工序期间淀积保护层的方法及设备。用于在制造半导体部件的过程中，特别是在制造ＤＲＡＭ芯片的过程中，在等离子体蚀刻工序期间在材料上淀积保护层的方法的特征在于等离子体（１０）具有至少一个前体（１），其在等离子体蚀刻工序期间连同等离子体（...
该专利属于奇梦达股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过奇梦达股份公司授权不得商用。

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