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利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列技术
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文档序号:3181131
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本发明涉及一种用于利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及一种层序列。根据本发明,在pin薄层太阳能电池或nip薄层太阳能电池中,在涂敷微晶i层之前,利用HWCVD方法将微晶硅层涂敷到下面的p层或n层上。因此,薄层太阳能电池的效率绝对地被提高...
该专利属于于利奇研究中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过于利奇研究中心有限公司授权不得商用。
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