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本发明提供一种功率金氧半导体组件，包含一漏极、一设置于该漏极上的基体，其具有一基体顶表面、内嵌于基体中之一源极，其从基体顶表面向下延伸至基体中、一栅极沟槽，其穿过源极及基体并延伸至漏极中，在栅极沟槽中设置有一栅极、连接沟槽的一源极基体，其具...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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