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为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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