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本发明公开了一种高质量氮化铝模板及其制备方法，其包括以下步骤：1)对衬底进行清洁处理；2)沉积形成氮化铝薄膜和氮化镓保护薄膜；3)经非面对面高温退火处理后制得高质量氮化铝单晶模板。在高温退火的条件下氮化镓保护薄膜分解而在氮化铝薄膜表面创造富...
该专利属于中紫半导体科技（东莞）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中紫半导体科技（东莞）有限公司授权不得商用。

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