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本发明涉及一种增加ＭＯＳ栅控制晶体管原胞密度的制作方法，（１）栅氧化；（２）多晶硅淀积；（３）多晶硅掺杂形成导电层；（４）形成第一层绝缘介质层；（５）光刻、刻蚀第一层绝缘介质层和多晶硅层形成窗口，窗口宽度在１．２ｕｍ～４ｕｍ；（６）离子注入...
该专利属于江苏宏微科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏宏微科技有限公司授权不得商用。

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