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半导体器件的制造方法技术
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文档序号:3179634
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本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括如下步骤:在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层;在吸收光的层上提供第二衬底;与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模;以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束,将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。
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