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本发明公开了一种化学机械研磨时间控制方法，包括以下步骤：建立光片速率的均值规格；测试机台光片的研磨速率；测量晶圆膜厚前值；测试光片有台阶差和无台阶差时的速率；计算比较因子；测量第一个需要研磨产品的膜厚前值和台阶高度；计算第一个产品需要研磨的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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