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用于SiC半导体器件的富硅的镍-硅化物欧姆接触制造技术
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下载用于SiC半导体器件的富硅的镍-硅化物欧姆接触的技术资料
文档序号:3179454
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公开了一种形成欧姆接触的方法以及所得的欧姆接触结构。该方法包括步骤:在碳化硅表面上形成镍和硅的淀积膜,形成温度低于这两种元素中的任何一个与碳化硅发生反应的温度,并且它们各自的比例使得淀积膜中的硅原子分数大于镍原子分数,并将这种镍与硅的淀积膜...
该专利属于克里公司所有,仅供学习研究参考,未经过克里公司授权不得商用。
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