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一种半导体器件，包括基板（１２）、在基板（１２）的表面上形成的第一绝缘层（１４）、在第一绝缘层（１４）的表面上形成的纳米晶体层（１３）、在纳米晶体层（１３）上面形成的第二绝缘层（１５）。向第二绝缘层（１５）施加氮化环境，以形成在基板（１２）...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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