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本发明公开了一种P型热电材料GeSi靶材及其制备方法，涉及合金靶材技术领域，所述制备方法包括如下步骤：(1)将锗颗粒、硅颗粒放入磁悬浮感应熔炼炉中加热至熔化，保温，水冷，得到锗硅合金锭；(2)破碎锗硅合金锭，球磨，得到锗硅合金粉，加入硼粉，...
该专利属于先导薄膜材料（广东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先导薄膜材料（广东）有限公司授权不得商用。

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