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一种低极化效应ＧａＮ发光二极管外延用材料及制法：在蓝宝石或ＳｉＣ衬底上用半导体器件沉积技术依次生长由ＧａＮ缓冲层和ｎ型ＧａＮ层组成的ｎ型ＩｎＧａＡｌＮ层、由ＩｎＡｌＧａＮ多量子阱结构极化调控层和ＩｎＡｌＧａＮ多量子结构发光层组成的低极化效应...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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