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一种微电子技术领域的用于相变存储器的ＳｉＳｂ基相变薄膜材料，其组分为（Ｓｉ↓［ｘ］Ｓｂ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｍ↓［ｙ］，其中元素Ｍ是Ｏ元素或Ｎ元素或它们的混合物，掺杂元素Ｍ的含量ｙ是０－１５％原子百分比，Ｓｉ含量ｘ为５－９０％原子百分比...该专利属于上海交通大学;硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学;硅存储技术公司授权不得商用。
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一种微电子技术领域的用于相变存储器的ＳｉＳｂ基相变薄膜材料，其组分为（Ｓｉ↓［ｘ］Ｓｂ↓［１－ｘ］）↓［１－ｙ］Ｍ↓［ｙ］，其中元素Ｍ是Ｏ元素或Ｎ元素或它们的混合物，掺杂元素Ｍ的含量ｙ是０－１５％原子百分比，Ｓｉ含量ｘ为５－９０％原子百分比...