温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种制作准双栅ＭＯＳＦＥＴ晶体管的方法。本发明制作准双栅ＭＯＳＦＥＴ晶体管方法特出的优点是：源漏区内部牺牲区域的重掺杂是由以栅电极为掩模的离子注入而实现的，而源漏区与准体区的隔离层是通过腐蚀此牺牲区域的重掺层并填充以介质而形成的...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。