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一种接触塞的制造方法，包括：提供一具有多个栅极的半导体基板，在所述半导体基板中形成有源极和漏极；在所述栅极之间及上部形成多晶硅层；图案化并刻蚀所述多晶硅层在所述源极和栅极上方形成多晶硅插塞；在所述具有多晶硅插塞的半导体基板上形成绝缘层；平坦...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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