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本发明提供了具有可随机访问存储位置的双晶体管硅－氧化物－氮化物－氧化物－半导体（２－Ｔｒ　　ＳＯＮＯＳ）非易失性存储单元及其制造方法。在一个实施例中，提供了一种２－Ｔｒ　　ＳＯＮＯＳ单元，其中选择晶体管位于沟槽结构中，其沟槽深度约为１～２μ...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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