温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明针对硅基氮化物单晶薄膜存在较大的失配应力而产生高密度裂纹和位错的问题，发明一种在成核层上生长薄层ＳｉＮ↓［ｘ］用以减小应力、消除裂纹、降低位错密度，制备高质量氮化物薄膜的外延方法。本方法通过控制ＳｉＮ↓［ｘ］薄层的厚度使其在成核层表面...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。