温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包括：基底；具有第一开口的第一介电层形成在该基底之上；第一电极形成在该第一开口内并填满该第一开口；柱状第二介电层直接形成在该第一电极之上；第一导电层形成在该柱状第二介电层的侧壁上，并与该第一电极电...该专利属于财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司授权不得商用。