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本发明揭示非易失性存储晶体管（５１），其具有：半导体衬底（１１），所述半导体衬底（１１）具有界定一沟道的相间的源极（３７）与漏极（３９）区；隧道氧化物层１３），其位于所述沟道上面；及碳纳米管导电层（３１），其位于所述隧道氧化物上面。在图案化...
该专利属于爱特梅尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱特梅尔公司授权不得商用。

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