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本发明涉及一种制作纳米间隙和纳米间隙传感器的方法，和用这种方法制作的纳米间隙和纳米间隙传感器。本发明涉及的这种制作纳米间隙和纳米间隙传感器的方法，能够通过运用了半导体制造工艺的各向异性刻蚀实现。通过本发明中的方法，纳米间隙和纳米间隙传感器能...
该专利属于韩国生命工学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国生命工学研究院授权不得商用。

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