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本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包含Ｎ型层、发光层和Ｐ型层。在衬底的下表面设置有一电极。在Ｐ型层的上表面设置有Ｐ型电极，其中，部分Ｐ型层被刻蚀到Ｎ型层，并设置有Ｎ型电极，...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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