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在半导体衬底上形成一种具有高纵横比的柱形ｐ－ｉ－ｎ二极管的装置。通过在位于所述柱的每个末端处的Ｐ＋区域与Ｎ＋区域之间的本征或轻掺杂的区域（ｉ区域）形成每一个器件。所述ｐ－ｉ－ｎ二极管的装置被嵌入在光学透明介质中。对于给定的表面面积，所述柱ｐ...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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