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开基极半导体二极管器件具有发射极层、基极层和集电极层。其中所述层被配置并掺杂为使得所述器件具有以下ＩＶ特性：ｉ．具有正电阻的穿通区，其从电压Ｖ↓［ｐｔ］开始，继之以，和ｉｉ．具有正电阻阶段的雪崩区，所述正电阻阶段始于在Ｖ↓［ｃｒｉｔ］和Ｉ↓...
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