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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种制备具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法，用于在硅基片上制作二氧化钒纳米薄膜，包括下列步骤：１）硅基片表面清洗；２）采用等离子体增强化学气相沉积方法在硅基片上生长二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜；３）以金属钒...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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