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本发明提供了发光元件，其具有由带隙能为２．２ｅＶ以上的宽带隙型氧化物半导体所构成的发光层部；该发光层部具有由ｐ型金属包层、活性层及ｎ型金属包层相互层叠的双异型构造，且前述ｐ型金属包层与前述ｎ型金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶层，...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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