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在第一像素传感器单元（１８８）的至少一部分和第二像素单元（１８８ａ）的至少一部分下方形成具有第一导电类型的植入区（１００），以限制光电二极管收集／耗尽区的深度并限制像素的彩色响应。为了进一步减少邻近像素之间的串扰和减少模糊，在衬底中和在具有...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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