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本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所...该专利属于北京智芯微电子科技有限公司国网信息通信产业集团有限公司北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司国网信息通信产业集团有限公司北京航空航天大学授权不得商用。