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本发明公开了一种降低IC封装不良率的球形硅微粉的制备方法。所述方法先分别将不同粒径的角形硅微粉A1和A2进行加热球形化，得到不同粒径的球形硅微粉Q1、Q2、Q3、Q4，然后将球形硅微粉Q1、Q3加热处理后经过粗效分级去除大颗粒和团聚物，再经...
该专利属于联瑞新材(连云港)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联瑞新材(连云港)有限公司授权不得商用。

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