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本发明提供一种能缩短导通时间的沟槽结构的半导体器件。该半导体器件（１）包括：在半导体基板上形成的第一外延层；与第一外延层的上面接触而形成且杂质浓度比第一外延层低的第二外延层；设置在第二外延层中且从其上面向下方向形成的多个沟槽；嵌入到沟槽的内...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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