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硅基电介质的化学气相沉积方法技术
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文档序号:3175961
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本发明的具体实例一般而言是提供一种用于沉积含硅薄膜的方法。在一具体实例中,一种用于将含硅材料薄膜沉积在基板上的方法包含下列步骤:将含有氮和碳的化学物流入沉积腔室内;将具有硅-氮键的含硅源化学物流入处理腔室内:及将位于腔室内的基板加热至低于约...
该专利属于应用材料股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。
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