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半导体器件包含形成于半导体衬底（１１０）上的阻挡层。开孔（１２０）形成于处在衬底上的绝缘层（１３０）中，从而露出下部铜层（１４０）。开孔和下部铜层被暴露于无等离子体还原气氛（２００）中进行热退火。阻挡层被沉积到暴露的开孔中以及沉积到暴露的下...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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