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本发明公开了处理位于衬底上的薄膜的方法。在一方面，这些方法包括：在从薄膜上去除光刻胶之后，通过在薄膜上沉积包含硅、碳，以及选择性地包含氧和／或氮的薄层，处理已构图的低介电常数薄膜。所述的薄层为已构图的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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