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本发明涉及一种具有金属硅化物纳米结构的材料和制备方法，该材料包括在ＳＯＩ衬底上制作的金属硅化物纳米结构；该ＳＯＩ基片的绝缘介质层厚度为１００－１０００纳米，硅薄膜的厚度为５０－５００纳米。该制备方法包括将ＳＯＩ衬底经过清洗、干燥后，旋涂正性...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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