温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在一种形成于衬底上方的新颖的非易失性存储器单元中，二极管与可逆电阻切换材料配对，所述材料优选为例如Ｎｉ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］、Ｎｂ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］、Ｔｉ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］、Ｈｆ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］、Ａｌ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］、Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］...
该专利属于桑迪士克3D公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克3D公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。