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本发明涉及一种半导体异质结构，其包括具有第一面内晶格常数的支撑衬底、在衬底上形成的顶部具有第二面内晶格常数且处于松弛状态的缓冲结构以及在缓冲结构上形成的非渐变层的多层堆叠。本发明的目的在于提供一种上述类型的具有较小表面粗糙度的半导体异质结构...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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