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CMOS图像传感器及其制造方法技术
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文档序号:3174842
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一种CMOS图像传感器,其包括:形成于半导体层上的外延层;形成于外延层上的器件隔离层,以将隔离层划分为有源区域和器件隔离区域;有源区域,其包括光电二极管区域和晶体管区域;驱动晶体管,其包括形成于外延层上的栅极以及形成于栅极两侧壁上的栅间隔垫...
该专利属于东部高科股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。
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