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一种具区域性粗化表面的固态发光设备，包含：基底、形成于基底并依序具有包含第一型半导体层、有源层及第二型半导体层的外延膜、形成于第二型半导体层并含有Ⅱ族元素及Ⅴ族元素且具有介于０．７ｅＶ～６．０ｅＶ之间的能隙的接触膜、与该外延膜夹置有该接触膜...
该专利属于广镓光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广镓光电股份有限公司授权不得商用。

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