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一种形成光刻胶层的方法,包括下列步骤:将晶圆放在加热盘上在180至250℃下进行烘烤30至80s;将晶圆在30至120℃下缓冲冷却15至60s时间;将晶圆放置在快速冷却盘上,快速冷却30至60s时间;在晶圆上形成有机底部防反射层;在有机底部...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种形成光刻胶层的方法,包括下列步骤:将晶圆放在加热盘上在180至250℃下进行烘烤30至80s;将晶圆在30至120℃下缓冲冷却15至60s时间;将晶圆放置在快速冷却盘上,快速冷却30至60s时间;在晶圆上形成有机底部防反射层;在有机底部...